Global GaN Semiconductor Devices Market
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氮化镓 (GaN) is a material that can be used in the production of semiconductor power devices. It is a displacement technology for silicon semiconductors in power conversion due to it reducing weight, size and cost while increasing energy efficiency. 在 2021, the global GaN semiconductor devices market stood at USD 774 百万. 复合年增长率为 16.1% 从 2022 到 2028, 预计价值将达到 ~USD 2,201 百万 2028, 根据 Gen Consulting 公司的一份新报告.
该报告提供了有关当前全球市场情况的深入分析和见解, latest trends and drivers into global GaN semiconductor devices market. 它提供了对市场规模等各种细节的独家见解, 主要趋势, 竞争格局, 增长率和细分市场. This study also provides an analysis of the impact of the COVID-19 crisis on the GaN semiconductor devices industry.
该行业报告提供了全球市场的市场估计和预测, 接下来是对产品的详细分析, 最终用户, 和地区. The global market for GaN semiconductor devices can be segmented by product: opto semiconductors, power semiconductors, RF semiconductors. GaN semiconductor devices market is further segmented by end user: 航天 & 防御, 汽车, 消费类电子产品, 卫生保健, information & 沟通, 其他的. 根据地区, the GaN semiconductor devices market is segmented into: 北美, 亚太地区, 欧洲, 世界其他地区 (排).
副产品:
– opto semiconductors
– power semiconductors
– RF semiconductors
按最终用户:
– 航天 & 防御
– 汽车
– 消费类电子产品
– 卫生保健
– information & 沟通
– 其他的
按地区:
– 北美
– 亚太地区
– 欧洲
– 世界其他地区 (排)
The report also provides a detailed analysis of several leading GaN semiconductor devices market vendors that include Bridgelux, 公司, Cree, 公司, Efficient Power Conversion Corporation (EPC), Fujitsu Limited, GaN Systems Inc., 英飞凌科技股份公司, Navitas Semiconductor Limited, NexGen Power Systems, 公司, Nichia Corporation, NXP Semiconductors NV, Osram Opto Semiconductors GmbH, Qorvo, 公司, 德州仪器公司, 东芝公司, Toyoda Gosei Co., 有限公司, 除其他外.
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历史 & 预测期
本研究报告对各个细分市场进行了分析 2018 到 2028 考虑到 2021 为基准年.
报告范围
– To analyze and forecast the market size of the global GaN semiconductor devices market.
– To classify and forecast the global GaN semiconductor devices market based on product, 最终用户, 地区.
– To identify drivers and challenges for the global GaN semiconductor devices market.
– 检查合并等竞争性发展 & 收购, 协议, 合作与伙伴关系, ETC。, in the global GaN semiconductor devices market.
– To identify and analyze the profile of leading players operating in the global GaN semiconductor devices market.
为什么选择这份报告
– Gain a reliable outlook of the global GaN semiconductor devices market forecasts from 2022 到 2028 跨场景.
– 确定投资的增长领域.
– 通过公司简介和市场数据领先于竞争对手.
– Excel 格式的跨场景分析易用性的市场预估.
– 三个月的战略咨询和研究支持.
– 为单用户许可证提供打印验证.
目录
数字和表格
部分 1. 介绍
· 报告说明
· 研究目的
· 细分市场
· 报告考虑的年份
· 货币
· 主要目标受众
部分 2. 方法
部分 3. 执行摘要
部分 4. 市场概况
· 介绍
· 司机
· 限制
· COVID-19 大流行的影响
部分 5. 按产品划分的市场细分
· Opto semiconductors
· Power semiconductors
· RF semiconductors
部分 6. 按最终用户划分的市场细分
· 航空航天 & 防御
· 汽车
· 消费类电子产品
· 卫生保健
· Information & 沟通
· 其他的
部分 7. 按地区划分的市场细分
· 北美
· 亚太地区
· 欧洲
· 世界其他地区 (排)
部分 8. 重点企业
· 普瑞, 公司.
· Cree, 公司.
· Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
· Fujitsu Limited
· GaN Systems Inc.
·英飞凌科技股份公司
· Navitas Semiconductor Limited
· NexGen Power Systems, 公司.
· Nichia Corporation
· NXP Semiconductors NV
· Osram Opto Semiconductors GmbH
· Qorvo, 公司.
· 德州仪器公司
·东芝公司
· Toyoda Gosei Co., 有限公司.
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免责声明
普瑞吉克斯, 公司.
Cree, 公司.
Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Fujitsu Limited
GaN Systems Inc.
英飞凌科技股份公司
Navitas Semiconductor Limited
NexGen Power Systems, 公司.
Nichia Corporation
NXP Semiconductors NV
Osram Opto Semiconductors GmbH
Qorvo, 公司.
德州仪器公司
东芝公司
Toyoda Gosei Co., 有限公司.
报告属性 | 细节 |
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基准年 | 2021 |
预测年份 | 2022-2028 |
复合年增长率 (2022-2028) | 16.1% |
页数 | 88 |
行业参与者 | 普瑞瑞公司, Cree Inc., Efficient Power Conversion Corporation (EPC), Fujitsu Limited, GaN Systems Inc., 英飞凌科技股份公司, Navitas Semiconductor Limited, NexGen Power Systems Inc., Nichia Corporation, NXP Semiconductors NV, Osram Opto Semiconductors GmbH, Qorvo Inc., 德州仪器公司, 东芝公司, Toyoda Gosei Co. 有限公司. |
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