Global GaN Semiconductor Devices Market

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製品コード: MGS01769 業界: 領域:

窒化ガリウム (GaN) is a material that can be used in the production of semiconductor power devices. It is a displacement technology for silicon semiconductors in power conversion due to it reducing weight, size and cost while increasing energy efficiency. の 2021, the global GaN semiconductor devices market stood at USD 774 百万. CAGR の記録 16.1% から 2022 に 2028, その価値は ~USD に達すると予想されます 2,201 百万までに 2028, Gen Consulting Company による新しいレポートによると.

このレポートは、現在の世界市場シナリオに関する詳細な分析と洞察を提供します。, latest trends and drivers into global GaN semiconductor devices market. 市場規模などのさまざまな詳細について独自の洞察を提供します, 主要なトレンド, 競争環境, 成長率と市場セグメント. This study also provides an analysis of the impact of the COVID-19 crisis on the GaN semiconductor devices industry.

この業界レポートは、世界市場の市場推定と予測を提供します。, その後、製品の詳細な分析が行われます, エンドユーザー, と地域. The global market for GaN semiconductor devices can be segmented by product: opto semiconductors, power semiconductors, RF semiconductors. GaN semiconductor devices market is further segmented by end user: 航空宇宙 & 防衛, 自動車, 家電, 健康管理, 情報 & コミュニケーション, その他. 地域に基づく, the GaN semiconductor devices market is segmented into: 北米, アジア太平洋地域, ヨーロッパ, 世界のその他の地域 (行).

製品別:
opto semiconductors
power semiconductors
RF semiconductors

エンドユーザー別:
– 航空宇宙 & 防衛
– 自動車
– 家電
– 健康管理
– 情報 & コミュニケーション
– その他

地域別:
– 北米
– アジア太平洋地域
– ヨーロッパ
– 世界のその他の地域 (行)

The report also provides a detailed analysis of several leading GaN semiconductor devices market vendors that include Bridgelux, 株式会社, Cree, 株式会社, Efficient Power Conversion Corporation (EPC), 富士通株式会社, GaN Systems Inc., インフィニオン テクノロジーズ AG, Navitas Semiconductor Limited, NexGen Power Systems, 株式会社, 日亜化学工業株式会社, NXP セミコンダクターズ NV, Osram Opto Semiconductors GmbH, Qorvo, 株式会社, テキサス・インスツルメンツ社, 東芝コーポレーション, Toyoda Gosei Co., 株式会社, とりわけ.
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歴史的 & 予測期間
この調査レポートは、以下の各セグメントの分析を提供します。 2018 に 2028 検討中 2021 基準年となる.

報告書の範囲
To analyze and forecast the market size of the global GaN semiconductor devices market.
To classify and forecast the global GaN semiconductor devices market based on product, エンドユーザー, 領域.
To identify drivers and challenges for the global GaN semiconductor devices market.
– 合併などの競争展開を検討するため & 買収, 協定, コラボレーションとパートナーシップ, 等, in the global GaN semiconductor devices market.
To identify and analyze the profile of leading players operating in the global GaN semiconductor devices market.

このレポートを選択する理由
Gain a reliable outlook of the global GaN semiconductor devices market forecasts from 2022 に 2028 シナリオ全体にわたって.
– 投資対象となる成長セグメントを特定する.
– 会社概要と市場データを通じて競合他社に先んじる.
– Excel 形式でのシナリオ全体の分析を容易にするための市場予測.
– 3ヶ月間の戦略コンサルティングとリサーチサポート.
– シングルユーザーライセンスに提供される印刷認証.

Global GaN Semiconductor Devices Market

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Global GaN Semiconductor Devices Market - レポートの範囲
レポート属性

詳細

基準年

2021

予測年

2022-2028

CAGR (2022-2028)

16.1%

ページ

88

キープレーヤー

Bridgelux Inc., Cree Inc., Efficient Power Conversion Corporation (EPC), 富士通株式会社, GaN Systems Inc., インフィニオン テクノロジーズ AG, Navitas Semiconductor Limited, NexGen Power Systems Inc., 日亜化学工業株式会社, NXP セミコンダクターズ NV, Osram Opto Semiconductors GmbH, Qorvo Inc., テキサス・インスツルメンツ社, 東芝コーポレーション, Toyoda Gosei Co. 株式会社.

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