磁阻随机存取存储器 (磁随机存储器) 是一种使用磁状态而不是动态随机存取存储器等设备使用的电荷来存储数据位的方法 (动态随机存取存储器). 通过结合静态随机存取存储器的高速 (静态随机存储器) 以及 DRAM 的高密度, MRAM 有望通过存储更多数据来显着改进电子产品, 与现有电子存储器相比，能够实现更快的数据访问并消耗更少的能量. The global mram market is anticipated to increase by USD 1,350 百万直到 2028 年均增长 28.1 根据 Gen Consulting 公司的最新报告.

该行业报告提供了全球市场的市场预测, 接下来是对产品的详细分析, 应用, 和地区. The global market data on mram can be segmented by product: 切换MRAM, STT-MRAM. 全球范围, the STT-MRAM segment made up the largest share of the mram market. Mram market is further segmented by application: 航天 & 防御, 汽车, 消费类电子产品, 企业存储, robotics, 其他的. 根据地区, the mram market is segmented into: 北美, 亚太地区, 欧洲, 世界其他地区 (排).

The global mram market is highly competitive. The competitive landscape of the industry has also been examined along with the profiles of the key players Avalanche Technology Inc., Everspin 技术公司, 霍尼韦尔国际公司, 公司, NVE公司, 三星电子公司. 有限公司, 旋转存储器公司, 台积电股份有限公司 (台积电), 东芝公司.

以数据为中心的报告重点关注市场趋势, 各细分市场的现状和前景. 对主要地区进行全面的市场评估, 该报告对于现有参与者来说是宝贵的资产, 新进入者和未来投资者.

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