Magnetoresistive random access memory (MRAM) is a method of storing data bits using magnetic states instead of the electrical charges used by devices such as dynamic random access memory (DRAM). By combining the high speed of static random access memory (SRAM) and the high density of DRAM, MRAM promises to significantly improve electronic products by storing greater amounts of data, enabling faster data access and consuming less energy than existing electronic memory. The global MRAM market is anticipated to increase by USD 1,350.2 百万まで 2028 平均年間成長率で 28.1 Gen Consulting Company による最新レポートによるパーセント.

レポートは市場規模と成長をカバーしています, セグメンテーション, 地域内訳, 競争環境, trends and strategies for global MRAM market. 市場の歴史と予測される市場成長を追跡します. このレポートは、市場動向と主要な競合他社のアプローチに基づいて、機会と戦略の上位セグメントを特定します。. This study also provides an analysis of the impact of the COVID-19 crisis on the MRAM industry.

この業界レポートは、世界市場の市場推定と予測を提供します。, 続いてタイプの詳細な分析, offering, エンドユーザー, と地域. The global market for MRAM can be segmented by type: toggle MRAM, spin-transfer torque MRAM. The spin-transfer torque MRAM segment held the largest revenue share in 2021. MRAM market is further segmented by offering: stand-alone, embedded. このうち, the stand-alone segment was accounted for the highest revenue generator in 2021. エンドユーザーに基づく, the MRAM market is segmented into: consumer electronic, robotic, enterprise storage, 交通機関, 航空宇宙および軍事, その他. The enterprise storage segment captured the largest share of the market in 2021. 地域に基づいて, the MRAM market also can be divided into: 北米, ヨーロッパ, アジア太平洋地域, もの (中東とアフリカ), ラテンアメリカ. 研究によると, Asia-Pacific had the largest share in the global MRAM market.

市場セグメンテーション
種類別: toggle MRAM, spin-transfer torque MRAM
By offering: stand-alone, embedded
エンドユーザー別: consumer electronic, robotic, enterprise storage, 交通機関, 航空宇宙および軍事, その他
地域別: 北米, ヨーロッパ, アジア太平洋地域, もの (中東とアフリカ), ラテンアメリカ

The market research report covers the analysis of key stake holders of the global MRAM market. Some of the leading players profiled in the report include Avalanche Technology, 株式会社, Everspin Technologies Inc., Hangzhou HFC Semiconductor Corporation, ハネウェルインターナショナル株式会社, インフィニオン テクノロジーズ AG, インテル コーポレーション, Numem Inc., 株式会社NVE, Qualcomm Incorporated, サムスン電子株式会社, 株式会社, Spin Memory, 株式会社, 台湾積体電路製造有限公司 (TSMC), Toshiba Corporation, Tower Semiconductor Ltd., とりわけ.
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歴史的 & 予測期間
この調査レポートは、以下の各セグメントの分析を提供します。 2018 に 2028 検討中 2021 基準年となる.

報告書の範囲
– To analyze and forecast the market size of the global MRAM market.
– To classify and forecast the global MRAM market based on type, offering, エンドユーザー, 領域.
– To identify drivers and challenges for the global MRAM market.
– 合併などの競争展開を検討するため & 買収, 協定, コラボレーションとパートナーシップ, 等, in the global MRAM market.
– To identify and analyze the profile of leading players operating in the global MRAM market.

このレポートを選択する理由
– Gain a reliable outlook of the global MRAM market forecasts from 2022 に 2028 シナリオ全体にわたって.
– 投資対象となる成長セグメントを特定する.
– 会社概要と市場データを通じて競合他社に先んじる.
– Excel 形式でのシナリオ全体の分析を容易にするための市場予測.
– 3ヶ月間の戦略コンサルティングとリサーチサポート.
– シングルユーザーライセンスに提供される印刷認証.